[资讯] 台积电N3E工艺良率进展超预期，英伟达第二财季营收67亿美元

台积电N3E工艺良率进展超预期

据科技网站Tom‘s handware消息，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉，N3E工艺为N3工艺的加强版，其性能和功耗表现更好，此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。(科创板日报)

不得不说，台积电这则消息或将给三星带来了不小的压力。值得一提的是，台积电3nm工艺按照技术优势的不同，为客户提供了五种不同的版本，是历代工艺中最丰富的，其中包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E。